Содержание
 
Предисловие
Введение

Глава 1. Общие физические процессы в  приборах СВЧ, КВЧ, ГВЧ диапазонов
1.1 Основные уравнения для анализа процессов
1.2 Время и угол пролета
1.3 Пространственно-временные диаграммы
1.4 Ток во внешней цепи прибора. Уравнение и форма наведенного тока
1.5 Наведенный ток модулированным потоком
1.6 Отбор энергии от движущихся носителей заряда
1.7 Управление электронным потоком

Глава 2. Электродинамические системы приборов СВЧ, КВЧ и ГВЧ диапазонов
2.1 Резонаторы
2.2 Замедляющие системы, параметры и характеристики их
2.3 Типы замедляющих систем
2.4 Применение СВЧ-нагрева
Глава 3. Электроннооптические системы приборов
3.1 Требования к электронной пушке
3.2 Обзор пушек ЭОС
3.3 Поперечно ограничивающая система

Глава 4. Общие вопросы генераторов и усилителей
4.1 Анализ работы генераторов и усилителей с резонансной колебательной системой
4.2 Влияние электронной проводимости на работу генераторов с резонансной колебательной системой
4.3 Влияние внешней нагрузки на мощность и частоту генерации
4.5 Основные параметры и характеристики приборов

Глава 5. Клистроны
Клистроны используют как усилители,генераторы, умножители частоты. Их разрабатывают для любого поддиапазона СВЧ, КВЧ и ГВЧ
5.1 Пролетный клистрон
5.2 Воздействие поля первого резонатора на электронный поток
5.3 Конвекционный ток в пространстве дрейфа
5.4 Гармонический состав конвекционного тока
5.5 Электронный КПД пролетного клистрона
5.6 Усилительный пролетный клистрон
5.7 Пролетные генераторные клистроны
5.8 Двухрезонаторный клистрон-умножитель частоты
5.9 Многорезонаторные пролетные клистроны
5.10 Отражательные клистроны

Глава 6. Лампы бегущей волны и лампы обратной волны — типа О
6.1 Схема устройства и принцип действия ЛБВО
6.2 Взаимодействия поля волны с электронами в «горячем» режиме ЛБВО (линейное приближение)
6.3 Коэффициент усиления ЛБВ
6.4 Коэффициент полезного действия ЛБВО
6.5 Характеристики ЛБВО
6.6 Лампа обратной волны типа О (ЛОВО)

Глава 7. Магнетроны — резонансные приборы типа М
7.1 Устройство магнетрона 179
7.2 Движение электронов в скрещенных полях
7.3 Виды колебаний в магнетроне
7.4 Формирование электронных сгустков. Условие синхронизма в магнетроне
7.5 Электронный КПД магнетрона
7.6 Рабочие характеристики магнетрона
7.7 Коаксиальные и обращенные магнетроны
7.8 Магнетроны, настраиваемые напряжением

Глава 8. Нерезонансные приборы типа М
8.1 Платинотроны
8.2 Усилители на ЛБВ типа М (ЛБВМ)
8.3 Генератор на ЛОВМ

Глава 9. Микроволновые полупроводниковые приборы и устройства различного назначения
9.1 Полупроводниковые СВЧ-диоды с положительным дифференциальным сопротивлением
9.1.1 Параметры СВЧ-диодов
9.1.2 Детекторные и смесительные диоды
9.1.3 Управляющие диоды
9.2 Диоды с отрицательным дифференциальным сопротивлением
9.2.1 Туннельные диоды
9.2.2 Лавинно-пролетный диод
9.2.3 Диоды Ганна
9.3 Полупроводниковые СВЧ-транзисторы
9.3.1 Биполярные транзисторы
9.3.2 Полевые транзисторы СВЧ
9.3.3 Микроволновые устройства на транзисторах

Список сокращений и условных обозначений параметров
Литература
Приложение А. Основные параметры полупроводниковых материалов при Т = 300 K
Приложение Б. Справочные данные по функциям Бесселя
Приложение В. Классификация и условное обозначение твердотельных МВП
Приложение Г. Параметры диодов Ганна и ЛПД