Содержание:

Предисловие
Глава 1. Основы физики полупроводников
1.1. Классификация твердых тел в соответствии с зонной теорией
1.2. Электроны и дырки в кристаллической решетке полупроводника. Основные и неосновные носители
1.3. Собственные полупроводники
1.4. Примесные полупроводники
1.5. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Концентрация свободных носителей
1.6. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми
1.7. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках
1.8. Энергетические диаграммы на контакте металл - полупроводник
1.9. Выпрямляющие свойства контакта металл - полупроводник
1.10. Требования к невыпрямляющим контактам
1.11. Параметры невыпрямляюших контактов
Глава 2. Физические основы p-n-перехода
2.1. Образование p-n-перехода
2.2. Потенциальный барьер и контактная разность потенциалов
2.3. Ширина обедненного слоя и барьерная емкость p-n-перехода
2.4. P-n-перeход при нарушении равновесия
2.5. Распределение концентрации неосновных носителей в базе
2.6. Аналитические выражения для ВАХ p-n-переходов (диодов)
2.7. Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ p-n -перехода
2.8. Диффузионная емкость p-n-перехода
2.9. Работа p-n-перехода при высоком уровне инжекции
2.10. Физические эквивалентные и частотные свойства p-n-перехода (диода)
2.11. Пробой p-n-перехода
2.12. Переходные процессы в p-n-переходе
Глава 3. Полупроводниковые диоды
3.1. Общие сведения
3.2. Выпрямительные диоды
3.3. Импульсные диоды
3.4. Диоды СВЧ
3.5. Стабилитроны
3.6. Варикапы
3.7. Диоды Шоттки
3.8. Лавинно-пролетные диоды
3.9. Типы конструкций полупроводниковых диодов
Глава 4. Биполярный транзистор
4.1. Основные определения и классификация биполярных транзисторов
4.2. Схемы включения и режимы работы БТ
4.3. Распределение потоков носителей (токов) в БТ
4.4. Усилительные свойства биполярного транзистора
4.5. Пробой БТ
4.6. Статические ВАХ биполярного транзистора
4.6.1. Схема с ОБ
4.6.2. Схема с ОЭ
4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
4.8. Зависимость электрических параметров транзисторов от режима работы и температуры
4.9. Типы структур биполярных транзисторов
Глава 5. Полевые транзисторы
5.1. Общие сведения
5.2. Канальные транзисторы (КТ)
5.2.1. Простая теория МеП-транзистора
5.3. МОП-транзисторы
5.3.1. Идеальная МДП-структура
5.3.2. Реальная МДП-структура
5.3.3. Величина порогового напряжения и пути ее регулирования
5.3.4. Статическая выходная ВАХ МОП-транзистора с индуцированным каналом
5.3.5. Параметры МОП-транзистора
5.3.6. Частотные характеристики МОП-транзистора
5.3.7. Эффекты короткого канала
5.3.8. Пробой МОП-транзистора
5.3.9. МОП-транзистор со встроенным каналом
5.4. Статические характеристики передачи полевых транзисторов
5.5. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
Глава 6. Оптоэлектронные и фотоэлектрические приборы
6.1. Светодиоды
6.2. Полупроводниковый лазер
6.3. Классификация фотоэлектрических приборов
6.4. Фоторезисторы
6.5. Фотодиоды
6.6. Фототранзисторы
6.7. Оптроны
Глава 7. Интегральные микросхемы
7.1. Условные обозначения ИМС
7.2. Термины и определения. Классификация микросхем
7.3. Пленочные и гибридные интегральные микросхемы
7.3.1.Основные требования к подложке
7.3.2. Тонкопленочный резистор
7.3.3. Материалы, используемые для толстопленочных резисторов
7.3.4. Пленочные конденсаторы
7.3.5. Пленочные индуктивности
7.3.6. Пленочные проводники и контактные площадки (ПП и КП)
7.4. Полупроводниковые интегральные микросхемы
7.4.1. Элементы полупроводниковых ИМС
7.4.2. Подложки полупроводниковых ИМС
7.4.3. Биполярный транзистор
7.4.4. Диоды интегральных микросхем
7.4.5. Диод Шоттки
7.4.6. Транзистор Шоттки
7.4.7. Транзистор с инжекторным p-n-переходом
7.4.8. Пассивные элементы полупроводниковых ИМС
7.4.9. Резисторы полупроводниковых ИМС
7.4.10. Конденсаторы полупроводниковых ИМС
7.4.11. Изоляция элементов ИМС
7.4.12. Изоляция элементов ИМС обратносмещенным p-n-переходом
7.4.13. Изоляция обратносмещенным p-n-переходом, созданная методом разделительной диффузии
7.4.14. Коллекторная изолирующая диффузия
7.4.15. Базовая изолирующая диффузия
7.4.16. Метод трех фотошаблонов
7.4.17. Метод самоизоляции n-областью
7.4.18. Диэлектрический способ изоляции
7.4.19. Изоляция элементов ИМС тонкой пленкой диэлектрика
7.4.20. Комбинированный способ изоляции
7.4.21. Изопланар
7.4.22. V-ATE (Технология вертикального анизотропного травления)
7.4.23. Полипланар
7.4.24. Транзистор на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
7.5. Металлизация полупроводниковых ИМС
Глава 8. Корпуса интегральных микросхем
Литература