Содержание:

Предисловие редактора русского перевода
Предисловие автора к русскому изданию
Список принятых обозначений
Глава 1. Общие вопросы
1.1. Основные измерения
1.2. Измерения, определяющие усилительные свойства транзисторов на низких и высоких частотах
1.3. Измерения параметров мощных транзисторов
1.4. Измерения шумов транзистора
1.5. Измерения импульсных (переключающих) транзисторов
Список литературы
Глава 2. Общие замечания, касающиеся измерений
Список литературы
Глава 3. Методы измерения статических характеристик транзисторов
3.1. Снятие статических характеристик методом «по точкам»
3.2. Осциллографический метод
Список литературы
Глава 4. Измерение статических параметров
4.1. Пробивные напряжения
4.2. Обратные токи
4.3. Статический коэффициент передачи тока
4.4. Напряжение насыщения
4.5. Последовательные сопротивления эмиттера и коллектора
Список литературы
Глава 5. Измерение параметров тепловой эквивалентной схемы транзистора
Список литературы
Глава 6. Методы измерения параметров транзисторов
6.1. Графический метод
6.2. Метод приращений постоянных токов или напряжений
6.3. Измерение параметров r-, g- и h-матрицы на низких частотах и малых сигналах
6.4. Измерение малосигнальных параметров транзисторов на низкой частоте мостовыми методами
Список литературы
Глава 7. Измерение параметров при больших сигналах на низкой частоте (мощные транзисторы)
Список литературы
Глава 8. Измерение параметров высокочастотных транзисторов
8.1. Измерение параметров эквивалентного четырехполюсника
8.2. Измерение элементов «физической» эквивалентной схемы транзисторов
8.3. Измерение коэффициента передачи тока в функции частоты, а также измерение предельных и граничных частот транзистора
8.4. Измерение параметров матрицы рассеяния
8.5. Измерение эксплуатационных параметров
Список литературы
Глава 9. Измерение параметров в функции частоты или рабочей точки
9.1. Исследование зависимости параметров транзистора от частоты
9.2. Исследование зависимости параметров транзистора от рабочей точки
Список литературы
Глава 10. Измерение шумов транзистора
10.1. Метод с применением генератора синусоидальных колебаний
10.2. Метод с применением генератора шумового сигнала
Список литературы
Глава 11. Измерение импульсных параметров транзисторов
Список литературы
Глава 12. Измерение параметров униполярных (полевых) транзисторов
12.1. Общие проблемы
12.2. Исследование статических характеристик
12.3. Измерение обратных токов
12.4. Измерение напряжения пробоя, напряжения отсечки и порогового напряжения
12.5. Измерение динамических параметров
12.6. Измерение импульсных параметров
Список литературы
Глава 13. Измерение параметров транзистора в условиях производства
13.1. Общие проблемы
13.2. Процесс измерений
Список литературы
Глава 14. Испытания транзисторов
14.1. Устойчивость к климатическим воздействиям
14.2. Устойчивость к механическим воздействиям
Список литературы