Содержание:

Предисловие
Введение
Часть I. Изделия микроэлектроники как объект производства
Глава 1. Технология производства изделий микроэлектроники: история развития. Общие положения и основные определения
1.1. Содержание и основные понятий технологии производства изделий микроэлектроники
1.2. Развитие технологии производства изделий электронной техники в историческом аспекте
1.3. Изделия микроэлектроники: классификация, термины, определения
Глава 2. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на биполярных транзисторах
2.1. Принцип действия биполярного транзистора
2.2. Конструктивно-технологические особенности и варианты интегральных биполярных транзисторов, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии
2.3. Интегральные диоды
2.4. Активные элементы для быстродействующих и сверхскоростных интегральных микросхем
2.5. Интегральные резисторы
2.6. Интегральные конденсаторы
2.7. Функционально-интегрированные элементы БИС
2.8. Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга
2.9. Эволюция конструктивно-технологических вариантов исполнения биполярных транзисторов, диодов и резисторов в логических интегральных микросхемах
2.10. Контакты к кремнию, проводники разводки, контактные площадки внешних выводов микросхемы
2.11. Вспомогательные элементы микросхем
Глава 3. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на МДП-транзисторах
3.1. Принципы работы и классификация МДП-транзисторов
3.2. Вспомогательные элементы МДП-микросхем
3.3. Основные характеристики МДП-транзисторов и их связь с конструктивно-технологическими параметрами
3.4. Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов
3.5. Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС
3.6. МДП-элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств
3.7. Конструкции и материалы элементов коммутации в МДП-БИС
Глава 4. Конструкции элементов биполярно-полевых полупроводниковых микросхем
4.1. Классификация однокристальных биполярно-падевых микросхем
4.2. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
4.3. Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле
4.4. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Инжекционно-полевая логика
4.5. Конструктивно-технологические варианты биполярно-полевых структур, содержащих МДП-транзисторы
Глава 5. Конструкции элементов и компонентов пленочных гибридных микросхем и микросборок
5.1. Необходимость и целесообразность использования гибридного конструктивно-технологического варианта изготовления интегральных микросхем
5.2. Подложки
5.3. Конструкции пленочных элементов
5.4. Конструкции элементов коммутации
5.5. Рекордные результаты, достигнутые при создании многоуровневой разводки
5.6. Конструкции пленочных структур с распределенными параметрами
5.7. Конструкции компонентов гибридных микросхем и микросборок
Часть II. Технология производства и конструкции микросхем. Микропроцессоров и микросборок
Глава 6. Исходные материалы и полуфабрикаты для производства полупроводниковых интегральных микросхем
6.1. Монокристаллический кремний
6.2. Эпитаксиальные структуры
6.3. Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями
6.4. Структуры для полупроводниковых микросхем с полной диэлектрической изоляцией элементов
Глава 7. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах
7.1. Изготовление полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с изоляцией элементов p-n переходами
7.2. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с полной диэлектрической изоляцией элементов
7.3. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с комбинированной изоляцией элементов
Глава 8. Технологические маршруты производства интегральных полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на МДП-транзисторах
8.1. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием алюминиевых затворов
8.2. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием поликремнневых затворов
8.3. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзис-торах с использованием поликремниевых затворов и многоуровневой разводки
8.4. Технологические маршруты производства биполярно-полевых полупроводниковых интегральных микросхем
Глава 9. Технологические маршруты производства гибридных микросхем и микросборок
9.1. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных микросхем
9.2. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных БИС и микросборок
9.3. Технологические маршруты производства толстопленочных гибридных микросхем
9.4. Технологические маршруты производства гибридных БИС и микросборок на стальных эмалированных подложках
Глава 10. Анализ и синтез технологических процессов производства интегральных микросхем
10.1. Анализ технологических процессов производства микросхем
10.2. Синтез технологических маршрутов производства микросхем
10.3. Гибкое автоматизированное производство в технологии интегральных микросхем
10.4. Обеспечение эффективности производства и повышения качества изделий микроэлектроники
10.5. Требования к чистоте воздушной среды и климатическим параметрам
10.6. Основные положения электронно-вакуумной гигиены
Глава 11. Методы выполнения технологических операций и используемое оборудование
11.1. Операции разделения пластин на кристаллы и подложек на платы
11.2. Операции удаления материалов с поверхности пластин и подложек
11.3. Операции нанесения тонких и толстых пленок
11.4. Операции формирования конфигураций элементов интегральных микросхем
11.5. Операции литографии
11.6. Операции формирования p-n переходов в полупроводниках
11.7. Операции соединения материалов
Глава 12. Конструкции микросхем и микропроцессоров
12.1. Конструкции корпусов микросхем и микропроцессоров
12.2. Конструкция бескорпусных микросхем
Заключение
Список литературы